STF11NM80 |
RFQ for STF11NM80 Required Field |
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| Technical/Catalog Information | STF11NM80 |
| Vendor | STMicroelectronics |
| Category | Discrete Semiconductor Products |
| Mounting Type | Through Hole |
| FET Polarity | N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 11A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 5.5A, 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1630pF @ 25V |
| Power - Max | 35W |
| Packaging | Tube |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 43.6nC @ 10V |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack (Straight Leads) |
| FET Feature | Standard |
| Lead Free Status | Lead Free |
| RoHS Status | RoHS Compliant |
| Other Names | STF11NM80 STF11NM80 497 4338 5 ND 49743385ND 497-4338-5 |
| Product | Manufacturers | Pack | D/C |
| STF11NM80 | - | N/A | `06+(pb-free) |
The MDmesh™ is a new revolutionary MOSFET technology that associates the Multiple Drain process with the Company's PowerMESH™ horizontal layout. The resulting product has an outstanding low on-resistance, impressively high dv/dt and excellent avalanche characteristics. The adoption of the Company's proprietary strip technique yields overall dynamic performance that is significantly better than that of similar competition's products.
Typical Application |
Features |
| The 800 V MDmesh™ family is very suitable for single switch applications in particular for Flyback and Forward converter topologies. | ` TYPICAL RDS(on) = 0.35` LOW GATE INPUT RESISTANCE ` LOW INPUT CAPACITANCE AND GATE CHARGE` BEST Rds(on) * Qg IN THE INDUSTRY |
| Symbol | Parameter |
Value |
Unit | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TO-220/D2PAK TO-247 |
TO-220FP | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VDS | Drain-source Voltage (VGS = 0) |
800 |
V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VDGR | Drain-gate Voltage (RGS = 20 k) |
800 |
V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VGS | Gate- source Voltage |
±30 |
V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ID | Drain Current (continuos) at TC = 25 |
11 |
11(*) |
A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ID | Drain Current (continuos) at TC = 100 |
4.7 |
4.7(*) |
A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDM() | Drain Current (pulsed) |
44 |
44(*) |
A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PTOT | Total Dissipation at TC = 25 |
150 |
35 |
W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Derating Factor |
1.2 |
0.28 |
W/ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| dv/dt (1) | Peak Diode Recovery voltage slope |
SupplierPost a Buying LeadPDF / DatasheetRelated PDFRelated Models
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